Тиристорные модули
| MTC110A1600VM02 | Thyristor / Thyristor - Modules ,1600V 110A (аналог SKKT107/16E) | SaiSheMok | 920,00 | |
| MTC110A1600VM43 | Thyristor-Thyristor Module 110A 1600V M43 (аналог SKKT106/16E) | SaiSheMok | 980,00 | |
| MTC160A1600VM04 | Thyristor-Thyristor Module 160A 1600V M04 (аналог SKKT162/16E) | SaiSheMok | 1 800,00 | |
| MTC90A1600VM02 | Thyristor / Thyristor - Modules ,1600V 90A (аналог SKKT92/16E) | SaiSheMok | 920,00 | |
| SKKT42/18E | SEMIPACK 1 , 1800V Thyristor/ Diode Modules , 40A(sin 180) @ Tc = 80°C , Visol = 3000VAC , Tj= -40 to +125°C | Semikron | 5 100,00 | |
| SKKT72/16E | Semipack 1, Thyristor / Diode Modules, 70A (at 85 C), 1600V, Visol 3000VAC, Tj= -40°C to +125°C | Semikron | 5 800,00 | |
| SKKH27/12E | SEMIPACK 1 , Thyristor / Diode Modules ,1200V 25A , Tj= -40°C to +125°C | Semikron | 4 500,00 | |
| SKKH72/22EH4 | SEMIPACK® 1, Thyristor / Diode Modules, 2200V, 70A(at 85°C), 1000V/us, – 40...+125°C | Semikron | 7 500,00 |
Тиристорно-диодные модули
| SKKT42/18E | SEMIPACK 1 , 1800V Thyristor/ Diode Modules , 40A(sin 180) @ Tc = 80°C , Visol = 3000VAC , Tj= -40 to +125°C | Semikron | 5 100,00 | |
| SKKT72/16E | Semipack 1, Thyristor / Diode Modules, 70A (at 85 C), 1600V, Visol 3000VAC, Tj= -40°C to +125°C | Semikron | 5 800,00 | |
| SKKH27/12E | SEMIPACK 1 , Thyristor / Diode Modules ,1200V 25A , Tj= -40°C to +125°C | Semikron | 4 500,00 | |
| SKKH72/22EH4 | SEMIPACK® 1, Thyristor / Diode Modules, 2200V, 70A(at 85°C), 1000V/us, – 40...+125°C | Semikron | 7 500,00 |
IGBT- модули
| SKiiP342GD120-3DUL | SKiiP2, SK integrated intelligent,6-pack, low loss IGBTs,300A, 1200V | Semikron | 42 000,00 | |
| SEMiX402GAR066HDs | SEMiX2s, TRENCH IGBT Modules, 1200V, Ic=509A (Tc=25C), Visol 4000V (AC 1min), -40/+ 150C | Semikron | 18 200,00 | |
| SKM150GB12VG | ( 2MBI150U4B-120 ) SEMITRANS 3, IGBT4, 1200V, 180A@80°C, Visol=4000V, Tj= -40°C to +175°C | Semikron | 1 880,00 | |
| SEMiX854GB176HDs | SEMIX 4 Trench IGBT Modules 1700 V 830A Visol 4000V - 40 ... + 150 (125)+защелка | Semikron | 16 100,00 | |
| SKM300GB126D | SEMITRANS 3 , N-ch IGBT-Modules, 1200V Trench IGBT(600ns), 300A @ Tc = +65°C, Half-Bridge, Visol = 2500VAC , Tj= -40°C to +150°C | Semikron | 27 000,00 | |
| SKM300GAL12T4 | SEMITRANS® 3, Fast IGBT4 Modules, VCES=1200 V, IC=300 A | Semikron | 26 500,00 | |
| SEMiX252GB176HDs | SEMiX2s, Trench IGBT Half-Bridge Module, 1700V, 260A, Visol 4000V (AC 1min), Vcesat 2V, -40/+150 C | Semikron | 4 600,00 | |
| GD200HFL120C2S | Half bridg, Package: C2.0, Low loss IGBT VCES: 1200 V lc: 200 A. | Semikron | 4 200,00 | |
| Board2sSKYPER32PROR (адаптер драйвера) | L6100241, Half Bridge Board for Skyper 32PRO(R), технология PbF | Semikron | 1 120,00 | |
| SEMiX302GB12E4s | SEMiX2s, trench IGBT Modules, 1200V,Ic 463A (Tc=25C), Visol 4000V (AC 1min), Vcesat 1.8V, -40/+ 150 (125) C | Semikron | 4 200,00 | |
| SEMiX302GB12Vs | SEMiX2s, V- IGBT Modules, 1200V,Ic 460A (Tc=25C), Visol 4000V (AC 1min), Vcesat 1.8V, -40/+ 150 (125) C | Semikron | 4 200,00 |
Конденсаторы металлопленочные
| E50.N13-904N50 | Capacitor for power electronics, PK16 - 900 mkF 600 VDC, N5, 85x136mm | Electronicon | 4 100,00 | |
| E62.R16-104L30 | Capacitor for power electronics 3x100mF 640VAC 116x164mm, design L3, oil-filled Discount schedule B, MPQ:3 | Electronicon | 12 900,00 | |
| E50.N25-155NT0 | Capacitor for power electronics, PK16 - 1500 mkF 700 VDC, desing NT, Tj=-25....+85 C, 85x252mm | Electronicon | 12 000,00 |
Конденсаторы электролитические
| ECEA1CKA470 | Radial, Aluminum Electrolytic Capacitor, 7 mm height, 1000h (at 85 C), 16V, 47 mkF, 20%, -40/+85 C | Panasonic | 250,00 | |
| UVY1E101MDD | Radial Capasitors, 100 uF, 25V, 20%, -55 to 105C | Nichicon | 20,00 | |
| PB-5R0V104-R | Electrolitic capacitor / CAPACITOR RAD AEROGEL 5V, 0,1F, Low ESR=10, Top = - 25 C to + 70 C | Bussman | 57,00 | |
| 25V22 | Aluminum 25V, 22 uF Radial | Samsung | 150,00 | |
| B43501B9107M000 | Aluminium Electrolytic Capacitor 100mkF, 400V, ± 20%, -40°C to +85°C | Epcos | 150,00 |
Осевые вентиляторы
| NMB 4715MS-23T-B5A | Вентилятор 230В, 119х119х38, подшипник качения 2600 об/мин | Minebea | 1 530,00 |
Оксидно-цинковые ВАРИСТОРЫ HT
Обращаем Ваше внимание, что в линейке наших поставок появился новый продукт:
Оксидно-цинковые ВАРИСТОРЫ HT .
Технология производства и материалы, используемые для их выпуска, обеспечивают высокие характеристики, не уступающие по качеству маркам известных мировых производителей.
- оксидно-цинковые варисторы (или металлооксидные варисторы, MOV) изготавливаются из полупроводниковой керамики на основе оксида цинка с малыми добавками оксидов других металлов.
- варистор обладает свойством резко уменьшать своё сопротивление с миллиардов до десятков Ом при увеличении приложенного к нему напряжения выше пороговой величины. При дальнейшем увеличении напряжения сопротивление уменьшается ещё сильнее.
Варисторы высокой энергии созданы для использования в средне- и высоковольтных цепях переменного тока для защиты от перенапряжения.
В таблице представлены технические параметры основных серийных типоразмеров:
Испытание реальных варисторов НТ D48*H30 проведенные в независимой лаборатории на пропускную способность (разряд линии, прямоугольный импульс 2 мс) показали величину проходящего тока не менее 1000 А, максимальная величина -1034 А, что позволяет использовать данные варисторы на III группу по энергоемкости.
По вашему запросу, мы готовы предоставить технические параметры всех возможных типоразмеров варисторов, протоколы испытаний независимой лаборатории, а так же бесплатные образцы продукции.
— Бесплатные Сайты и CRM.